三星把英伟达定制 HBM 的底座交给台积电：规格归英伟达，存储厂比的是 DRAM 产能

据韩国首尔经济日报报道，英伟达要求三家存储厂把定制 HBM 的底座统一交给台积电 3 纳米制造，三星第一次放弃自己生产底座。HBM 最贴近计算芯片的那层逻辑电路，核心的内存控制器由英伟达设计，制造交给台积电，存储厂只在底座上保留设计支持的角色。

先说结论（我们的看法）：这本账里，英伟达拿走的是规格，台积电拿走的是底座这片逻辑芯片的代工，存储厂留下的是堆在上面的 DRAM 核心晶粒。在英伟达这张订单上，三星、SK 海力士和美光能比的东西会收窄到核心晶粒的产能和良率。这对存储厂未必是坏账，眼下 HBM 供不应求，涨价能力还在它们手里；变的是定价的结构，不是这一季的利润。

发生了什么

据首尔经济日报 10 月 18 日的报道（媒体报道，引述业内人士），英伟达已要求为 NVHBM 供货的三家存储厂，也就是三星、SK 海力士和美光，用台积电 3 纳米工艺制造底座，并要求核心晶粒统一采用第六代 DRAM 工艺（1c）。报道称，运营三星代工业务的 DS 部门经内部审查后接受了这一要求。三星此前所有 HBM 的核心晶粒和底座都由自己生产，这是它与台积电第一次在 HBM 制造环节合作；四年前两家的合作只在封装兼容这一步。三星的标准 HBM4、HBM4E，以及给 AMD 等其他客户的定制 HBM，仍沿用自家 4 纳米底座的一条龙做法。

NVHBM 是英伟达 8 月发布的定制 HBM。据英伟达官方博客（企业宣称），传统 HBM 的内存控制器放在计算芯片上，NVHBM 把英伟达自己的内存控制器挪进 HBM 堆叠底部的底座；英伟达称，与标准 HBM4E 相比，带宽最多高 30%，HBM 功耗低 15%，计算芯片可多出最多 25% 的面积。同一篇博客写明，英伟达要建立一种由多家内存供应商提供的标准 NVHBM 实现，以减少跨供应商集成和验证的工程量；第一个合作方是亚马逊的 Annapurna Labs。

账本：底座这一层归谁

一颗 HBM 分两层：上面堆叠的是存数据的 DRAM 核心晶粒，底下是一片逻辑芯片，也就是底座，决定数据进出的速度。底座外包本身不是新闻。据 TrendForce 10 月 9 日的汇总（媒体报道，转述 The Elec、ZDNet、EDAILY），SK 海力士 HBM4 的底座已经用台积电 12 纳米，美光 HBM4E 的底座也将交给外部代工厂、预计是台积电，三星此前在评估自家代工与台积电双轨并行。

10 月 18 日这条报道的增量有两点。第一，这次是客户点名工艺：英伟达要求三家都用台积电 3 纳米，而不是存储厂各自选。第二，此前一直坚持一条龙的三星也接受了。把三层并排放：

• 设计：内存控制器由英伟达设计（英伟达博客，企业宣称）；台积电生产的底座预计由三星存储部门负责设计与优化支持（TrendForce 转述 ZDNet，媒体报道）
• 制造：底座在台积电 3 纳米（首尔经济日报，媒体报道）
• 存储厂自己的部分：核心晶粒统一用 1c 工艺（首尔经济日报，媒体报道）

分析推断：工艺、控制器和底座都统一之后，三家在 NVHBM 上的差异主要剩下核心晶粒的产能、良率和交付。依据有两条：英伟达博客写明的目的是降低跨供应商的集成与验证工作；首尔经济日报写的英伟达提出要求的理由，是各家制造方法不同，很难用一个设计做出一致的性能。

为什么是现在：缺口有多大

据首尔经济日报同日另一篇报道（媒体报道），瑞银预测明年 HBM 需求约 615 亿 Gb，比今年增长 91%；存储厂的新增出货只有约 546 亿 Gb。按这两个数算，缺口约 69 亿 Gb，约占需求的 11%（报道写约 10%）。

同一篇报道交代了三星自己的约束：三星的 4 纳米底座产线只在华城 17 号线和平泽 P3 的一部分，是按现有 HBM 需求建的，难以消化 NVHBM 这样的定制量；台积电则在第三季度财报会上宣布在台南 Fab 18 新增两条 3 纳米产线（报道转述）。报道还引述业内估计，台积电 3 纳米良率在九成以上，三星代工可比的 2 纳米约六成。分析推断：三星交出底座，一半出于英伟达的要求，一半是自家底座产能不够，依据就是这两篇报道分别写到的客户要求和产能缺口。

英伟达自己给的是一本电费账。据英伟达技术博客（企业宣称），HBM 功耗降低 15%，在一座使用 2000 瓦芯片的 1 吉瓦数据中心里，可以多容纳最多 1.5 万颗芯片。1 吉瓦除以 2000 瓦约是 50 万颗，1.5 万颗相当于多出约 3%。按英伟达的假设，对电力已经封顶的数据中心，这 3% 可以直接折成多出来的算力；电力没封顶的，它只是一笔电费。

最强反方

最有力的反驳是：存储厂没有吃亏，反而赚得更多。据 TrendForce 转述 The Elec，美光首席运营官 Manish Bhatia 说 NVHBM 会带来更高的平均售价和更好的毛利率（企业宣称）。明年 HBM 供不应求，定价权在卖方；底座只是一颗 HBM 里的一层，真正稀缺的是 1c DRAM 核心晶粒的产能，而它握在三家存储厂手里。三星也没有全盘交出：标准品和给其他客户的定制品仍是一条龙，自家 2 纳米也在验证 NVHBM 底座，作为台积电产能不够时的备份。

我们让步两点：短期内存储厂的利润未必受损，缺口还在，涨价能力就在；三星的双轨也说明底座并没有锁死在台积电。但我们坚持结构上的判断：这批订单的规格从存储厂手里移到了客户手里。分析推断：一旦供需缺口收窄，三家按同一张图纸、同一代工艺交货的产品更容易被放在一起比价，依据是英伟达把多家供应商的标准实现明确写成了目标。美光说的高毛利是公司表态，目前还没有出货数据支撑。

我们不知道什么

• 英伟达、三星和台积电都没有公开确认这条报道，目前只有首尔经济日报引述业内人士。
• 底座在一颗 HBM 成本里占多少、台积电 3 纳米底座怎么定价、这笔钱由英伟达还是存储厂付给台积电，都没有公开数字，价值到底怎么分我们算不出来。
• 英伟达自己的数字前后不一：官方博客写计算芯片可多出最多 25% 面积，技术博客写最多 30%；首尔经济日报写物理层缩小 60%，英伟达技术博客写最多 67%。
• 1.5 万颗芯片的估算建立在英伟达的假设上，它没有给出 HBM 在芯片总功耗里的占比。
• SK 海力士是否已接受 3 纳米的要求、美光说的外部代工是否就是台积电 3 纳米，报道没有写明。

接下来看什么

三星、SK 海力士和美光接下来的财报会里，有没有人说清 NVHBM 的底座成本由谁承担、合同怎么定价；三星自家 2 纳米底座的验证结果；台积电 Fab 18 新增 3 纳米产线的量产时间。我们的看法会在一种情况下改变：如果存储厂公开 NVHBM 的底座由它们自己采购并计价，而且这类产品的毛利率明显高于标准 HBM，那就说明定制带来的溢价仍留在存储厂这边。